삼성전자, 메모리 역사 또 썼다 ‘20나노 8Gb 모바일 D램 양산’

삼성전자가 메모리 역사를 또 한 번 바꿔 썼다.

삼성전자는 23일 20나노미터 공정을 적용한 8Gb(기가비트) LPDDR4 모바일 D램을 세계 최초로 양산한다고 밝혔다.

20나노 8Gb LPDDR4 모바일 D램은 1GB(기가바이트, 1GB = 8Gb) 칩 4개로 모바일 D램 최대 용량인 4GB를 구성할 수 있다.

기존 LPDDR3 제품보다 2배 빠른 데이터 처리속도는 물론 소비전력도 최대 40% 절감이 가능하다는 게 삼성전자의 설명이다.
또 8Gb LPDDR4는 삼성전자가 개발한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술을 적용해 일반 PC D램보다도 2배 빠른 데이터 처리속도(3200Mb/s)를 구현했다.

이를 통해 UHD급 동영상 촬영은 물론 2000만 화소 이상의 초고화질 사진 연속촬영에 있어서 훨씬 개선된 성능을 기대할 수 있게 된다.

삼성전자의 4GB LPDDR4 모바일 D램은 내년 미국 라스베이거스에서 열리는 CES 2015에서 혁신상을 받을 예정이다. 모바일 D램으로 3년 연속 CES 혁신상을 수상한 반도체 기업은 삼성전자가 유일하다.

삼성전자는 업계에서 유일하게 20나노 공정을 적용해 서버용·모바일용 8Gb D램을 생산하고 있으며 20나노 D램 라인업의 생산 비중을 점차 높여갈 계획이다.