웨이퍼 100만 장 넘긴 인텔의 승부수…ASML 2033 노선과 정면충돌

인텔이 2026년 9월 8일(현지시각) 발표를 통해 고개구율 극자외선(High-NA EUV) 노광 장비로 300mm 웨이퍼 100만 장 이상을 가공했다고 밝혔다.

톰스하드웨어는 이날 인텔이 미국 오리건 팹에 도입한 세 대의 장비로 해당 기록을 세웠으며, 이는 ASML이 2026년 4월 공개한 출하 장비 전체 가공량 50만 장을 웃도는 수치라고 보도했다. 선단 공정의 노광 병목을 풀기 위해 인텔이 제안한 6×12인치 포토마스크 규격은 한국내 블랭크 마스크와 펠리클 공급망에 기술 전환 과제를 던진다.


인텔의 이번 100만 장 달성은 첫 번째 High-NA EUV 장비를 설치한 지 2년 반이 지나지 않은 시점에 나왔다. 톰스하드웨어 보도에 따르면 인텔은 현재 미국 오리건 팹에서 ASML의 트윈스캔 EXE:5000 2대와 차세대 모델인 EXE:5200B 1대 이상을 가동하고 있다. 100만 장이라는 수치는 단순 양산 라인 가동뿐 아니라 장비 설치, 성능 인증, 공정 연구개발 과정에서 처리한 웨이퍼를 모두 합산한 결과다.
인텔은 18A 공정에 이 장비를 공식 인증하고 차세대 PC용 프로세서인 팬서 레이크의 일부 레이어 생산에 실전 투입하고 있다. 2025년 2월 하순 기준 약 3만 장에 머물던 누적 가공량은 고속 스캐너 도입과 공정 안정화에 힘입어 약 18개월 만에 100만 장을 넘어섰다. 초기 검증을 마친 선단 노광 장비가 생산 궤도에 올랐음을 보여준다.


High-NA EUV는 0.55 개구율 렌즈를 채택하면서 가로와 세로 배율이 다른 4배·8배 비대칭 광학계를 사용한다. 그 결과 기존 6×6인치 마스크를 유지할 경우 웨이퍼에 찍히는 노광 면적이 26×16.5mm인 절반 필드로 축소된다. 기존 0.33-NA EUV의 26×33mm 크기를 갖는 대형 칩을 생산하려면 두 개의 하프 필드를 이어 붙이는 스티칭 공정을 거쳐야 한다.

스티칭은 극도의 정밀 정렬을 요구해 미세한 어긋남만으로도 연결 배선이 끊어져 수율을 떨어뜨린다. 대형 중앙처리장치와 그래픽처리장치 다이 제조에서 결함 위험은 비용 상승으로 이어진다. 장비 생산성 저하도 나타난다. EXE:5200B 장비의 처리 능력은 단일 노광 기준 시간당 175장이지만 스티칭을 적용하면 시간당 125장으로 50장 줄어든다.


인텔은 스티칭 없이 26×33mm 면적을 단번에 노광하기 위해 가로 길이가 두 배인 6×12인치 대형 포토마스크 규격 제정을 추진하고 있다. 규격이 바뀌면 스티칭에 따른 속도 저하를 없애고 칩 설계 자유도를 확보할 수 있다. 반면 마스크 원판인 블랭크 제조부터 박막 증착, 노광, 식각, 계측, 펠리클, 마스크 이송 장비에 이르는 인프라 전반을 새로 구축해야 한다.
장비 제조사와의 엇박자도 부담이다. ASML의 공식 로드맵을 보면 2033년 전후 출시될 High-NA 스캐너는 모두 기존 6×6인치 레티클과 스티칭 공정을 기본 구조로 삼고 있다. 한국 반도체 생태계에서 에스앤에스텍과 에프에스티 등 포토마스크용 블랭크와 펠리클을 다루는 소재·부품 제조사는 대형 규격 전환 여부에 따라 장기 설비 투자 방향을 조정해야 한다.

향후 변수는 6×12인치 규격을 둘러싼 글로벌 노광 생태계의 호응 여부다. 인텔의 제안이 실제 표준으로 안착하려면 노광 장비를 공급하는 ASML의 장비 설계 수정과 주요 파운드리 경쟁사들의 동의가 뒷받침돼야 한다. 기존 인프라를 유지하려는 장비 공급망과 수율 효율을 높이려는 제조사 사이의 규격 조율 과정이 핵심 변수로 남는다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com