안방 뺏긴 삼성·SK, 중국 팹 200층 벽 뚫고 수성 나선다

중국 메모리 반도체 기업 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)가 2026년 2분기 중국 낸드플래시 시장에서 점유율 38.5%를 기록하며 삼성전자를 제치고 1위로 올라섰다.

로이터는 10월 21일(현지시각) 복수의 소식통을 인용해 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 현지 생산공장 공정을 200층 이상으로 끌어올리는 방안을 추진 중이라고 보도했다.

두 회사는 미국 정부와 긴밀한 협의를 거치고 있으며, 신규 공장 신설이나 생산능력 확대를 위한 조치가 아니라는 점을 분명히 했다.

로이터는 관계자 네 명의 발언을 통해 삼성전자와 SK하이닉스가 급성장하는 중국 현지 경쟁사의 점유율 잠식을 막고 인공지능(AI) 수요에 대응하기 위해 현지 공장의 라인 고도화에 들어갔다고 전했다.

2022년 미국 정부가 반도체 장비 수출 통제를 시행한 이후 두 회사는 중국 시설 설비를 교체할 때마다 규제 장벽을 마주했다. 미국산 식각장비 등을 중국 공장에 반입하려면 해마다 미국 정부로부터 별도 승인을 받아야 하는 구조다. 한국 기업들이 규제 부담 탓에 중국 투자 보폭을 넓히지 못한 사이, 양쯔메모리가 시장 수요를 흡수하며 공급 체력을 키웠다.

두 회사는 중국 공장의 기술 수준을 한국 본토 시설과 맞추고자 200층이 넘는 낸드플래시 양산 체제 전환을 준비하고 있다. 낸드플래시는 위로 쌓아 올리는 적층 수가 늘어날수록 단위 면적당 데이터 저장 용량이 늘고 제조 원가는 내려간다.


시장조사기관 옴디아 조사 결과를 보면 양쯔메모리의 2026년 2분기 중국 낸드플래시 시장 점유율은 38.5%로 나타났다. 2025년 연간 점유율인 28%와 비교해 큰 폭으로 뛴 수치다. 같은 기간 삼성전자의 중국 낸드플래시 점유율은 36%에서 33.5%로 내려앉았다. SK하이닉스 점유율도 20%에서 17%로 떨어졌다.

삼성전자는 전체 낸드플래시 물량의 40%가량을 책임지는 중국 시안 공장에 내부 프로젝트명 '모나미'를 가동 중인 것으로 전해졌다. 200층 안팎 수준인 현재 라인을 286층 브이나인(V9) 낸드플래시 생산 라인으로 개조해 2026년 12월 월 5000장, 2027년 12월 월 4만 장의 웨이퍼를 생산한다는 구상이다. 이에 대해 삼성전자는 "미국 고객을 비롯한 글로벌 수요에 대응하기 위한 목적이며 생산능력을 늘리거나 새 공장을 짓는 일은 없다"고 선을 그었다.
SK하이닉스는 192층 제품을 주력으로 만드는 중국 다롄 공장을 240층 이상으로 전환하는 계획을 세웠다. 다롄 공장은 현재 최대 240층까지 생산 승인을 확보한 상태다. 향후 300층을 웃도는 차세대 제품의 현지 연구개발 허가를 미국 정부에 요청하는 방안도 검토 중인 것으로 알려졌다.


한국 기업들의 현지 공장 고도화는 중국 스마트폰과 개인용 컴퓨터, 인공지능 데이터센터용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장에서 제조 경쟁력을 유지하기 위한 선택이다.

걸림돌은 미국 규제 당국의 장비 반입 인가 여부다. 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 2025년 들어 기술 개조나 시설 확충 목적의 수출 라이선스를 승인하지 않겠다는 기조를 피력한 바 있다. 로이터도 공정 전환에 필요한 장비 반입 승인이 실제로 얼마나 완료됐는지는 확인되지 않았다고 설명했다.

장비 공급 승인이 지연될 경우 시안과 다롄 공장의 고도화 시점은 뒤로 밀릴 수밖에 없다. 반면 미국 정부가 생산능력 확충이 아닌 설비 유지 차원의 공정 변경을 인정해 장비 반입을 인가한다면 두 회사는 현지 시장 방어선 구축에 힘을 받게 된다. 중국 생산 거점의 수익성과 운영 연속성을 지켜내기 위한 규제 조율 결과에 업계의 이목이 쏠린다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com