[실리콘 디코드] 글로벌파운드리스, TSMC 'GaN 기술' 도입…美 벌링턴 공장서 양산

미국 반도체 기업 글로벌파운드리스(GF)가 대만 TSMC와 손잡고 차세대 전력 반도체 시장 공략을 가속화한다. 글로벌파운드리스는 지난 10일(현지시각), TSMC와 650V와 80V 질화갈륨(GaN) 공정 기술 라이선스 계약을 체결했다고 공식 발표했다. 이번 협력은 데이터센터, 산업용, 그리고 자동차 시장을 겨냥한 차세대 전력 장치 개발에 속도를 내기 위한 전략 포석이다.

계약에 따라 글로벌파운드리스는 현재 고전압 실리콘 기반 GaN(GaN-on-silicon) 공정 전문 시설인 버몬트주 벌링턴 팹(공장)에서 신규 도입 기술 인증 절차에 돌입한다. 이 시설은 해당 공정에 특화돼 양산 전환을 가속화할 강점이 있다. 개발 작업은 2026년 초에 시작하며, 같은 해 말 양산을 목표로 한다.

이로써 글로벌파운드리스는 첨단 전력 부품을 필요로 하는 전 세계 고객사들에 미국 내에서 생산된 GaN 반도체를 공급할 수 있는 역량을 갖춘다. 동시에 벌링턴 공장은 미국 내 GaN 반도체 생산의 핵심 거점으로 부상하며, 현지 공급망 자립과 반도체 산업 경쟁력 강화에 기여할 전망이다.


GaN(질화갈륨)은 기존 실리콘 CMOS 공정이 성능 확장의 물리적, 효율 한계에 직면하면서 핵심 대안으로 급부상한 소재다. 더 높은 전력 밀도와 효율, 소형화를 구현할 수 있어 전기차, 데이터센터, 재생 에너지 설비, 고속 충전기 등 다양한 분야에서 수요가 높다.
글로벌파운드리스는 650V와 80V 급을 중심으로 가혹한 환경에서도 견딜 수 있는 신뢰 확보를 위해 공정 개발, 장치 신뢰성, 시스템 통합을 포괄적으로 아우른다.


TSMC가 2027년 7월까지 GaN 파운드리 서비스에서 전략상 철수할 계획인 가운데, 이번 협력은 GaN 기술의 지속 발전과 공급 안정 확보를 위해 이뤄진 것으로 업계는 분석한다.

글로벌파운드리스의 전력 사업부를 총괄하는 테아 윌리엄스 수석 부사장은 "이번 기술 이전은 회사의 GaN 제품 로드맵을 확장하고 여러 부문에 걸친 전력 장치 수요에 대응하려는 계획을 뒷받침할 것"이라고 말했다.

회사 측은 이번에 확보한 기술을 기존 제조 워크플로우에 통합, 고객사들이 향상된 효율과 열 성능을 갖춘 신규 GaN 솔루션을 채택하고 생산을 확대하도록 지원할 방침이다.
현재 글로벌파운드리스는 미국, 유럽, 아시아 등지에서 제조 시설을 운영하며 자동차, 모바일, 사물인터넷(IoT), 통신 인프라 시장에 반도체를 공급하고 있다. 회사 측은 TSMC와의 이번 계약이 차별화한 기술 포트폴리오를 넓히고, 증가하는 고객사의 전력 장치 요구에 부응하려는 자사의 핵심 전략과 일치한다고 덧붙였다.


박정한 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com