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中 자체개발 LPDDR5로 메모리 기술 과시…삼성, 앞선 성능·기술로 대응

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中 자체개발 LPDDR5로 메모리 기술 과시…삼성, 앞선 성능·기술로 대응

중국 오성홍기와 반도체 이미지. 사진=로이터이미지 확대보기
중국 오성홍기와 반도체 이미지. 사진=로이터
중국 반도체 기업 CXMT가 미국의 견제에도 불구하고 자체 개발한 최초의 저전력 메모리 LPDDR5-6400을 출시했다고 밝혔다. 이 메모리는 샤오미, 트랜션 등 중국 스마트폰 제조업체에서 이미 채택했다.

CXMT의 LPDDR5 메모리 출시는 중국 반도체 제조사 중 최초다.
고도의 기술력을 요구하는 LPDDR5-6400 메모리의 양산은 최첨단 메모리 기술 분야에서 중국이 큰 진전을 이루었음을 보여준다.

LPDDR5-6400은 핀당 6.4Gbps의 속도로 동작하는 DRAM 메모리로, 이전 세대인 LPDDR4X보다 50% 향상된 성능을 제공한다.

또 일반 DDR5 메모리는 최고 8400Mbps의 속도를 지원하고 최대 64Gb 밀도를 지원하는 반면, LPDDR5-6400은 6400Mbps 속도를 지원하며 32Gb 밀도를 지원하지만 더 낮은 전력 소비와 더 작은 패키지 크기를 제공해 모바일 장치에 적합하다.

특히 LPDDR5-6400은 새로운 절전 기능(DVFS, DQ Copy, WriteX)에 이전 세대 대비 최대 20% 낮은 소비전력으로 모바일 기기의 배터리 수명을 크게 늘릴 수 있다.

이번 CXMT의 LPDDR5-6400 출시는 중국 반도체 기술 경쟁력 강화에 중요 이정표가 될 것으로 전망된다.

특히 CXMT는 자사의 메모리가 전자 부품 기술 표준을 제공하는 독립적인 반도체 엔지니어링 무역 조직 및 표준화 기구인 JEDEC 표준을 준수하며 스마트폰, 태블릿, 노트북, AI 기기 등 다양한 제품에 사용될 수 있다고 강조했다.

또한, CXMT는 향후 몇 년 안에 일반 DDR5는 물론, 차세대 메모리 제품인 GDDR6, HBM2E 등 다른 종류의 첨단 메모리 제품도 출시할 계획이다. CXMT의 사업 확상이 성공할 경우, 미국이나 한국의 메모리 제품과 기술에 대한 중국의 의존도를 크게 낮출 수 있을 전망이다.

한편, 중국의 추격에 대응해 삼성전자의 대응도 강화되고 있다.

CXMT의 LPDDR5-6400에 비교되는 삼성의 LPDDR5는 이전 세대에 비해 1.5배 빠르며, 핀 속도는 6400 Mbps에 이르고, 초당 51.2GB의 고속·대용량 전송이 가능하다.

최근 삼성 반도체 사업부는 에너지 효율을 70% 높이는 새로운 DRAM 메모리 기술도 발표했다.

LLW(Low Latency Wide IO)로 불리는 이 기술은 정보가 들어오고 나가는 통로인 입출구(I/O)를 늘려 기존의 모바일 제품인 LPDDR 대비 대역폭을 높인 특수 D램 기술이다이다. 이는 기기에 실시간으로 생성되는 데이터를 처리하는 데 훨씬 유리하다.

또 LLW 기반 DRAM은 저전력 모바일 DRAM과 고성능 그래픽 DRAM이 각각 8.5Gbps와 28Gbps의 속도를 제공한다. 이는 세계에서 가장 빠른 속도다.

인공지능(AI)과 게임에 최적화된 이 기술을 적용한 신형 메모리 제품은 2024년에 출시하는 삼성의 스마트폰에 탑재될 예정이다.


박정한 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com