삼성전자, 고성능 컴퓨팅(HPC)에 사용될 3나노(nm) 칩 생산 시작

삼성전자가 비트코인 ​​채굴자가 더 빠르고 적은 전력 소비로 작동할 수 있도록 하는 칩용 3nm(나노미터) 파운드리 공정 생산을 시험하고 있는 것으로 알려졌다

암호화폐 전문매체 비트코인 매거진은 29일(현지시간) 이번 주 삼성전자가 비트코인을 채굴하는 데 가장 효율적인 기계인 주문형 집적회로(ASIC)용 3나노미터(3nm) 칩 시험 생산에 들어간다고 보도했다
실제로 삼성전자는 30일 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA·Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 발표했다.

3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 세계 파운드리 업체 중 삼성전자가 유일하다.

3나노 파운드리 공정을 통해 칩은 전력 소비를 줄이고 속도를 높이며 트랜지스터 수를 늘릴 수 있다.

비트코인 매거진이 전한 보고서에 따르면 삼성전자가 양산에 돌입할 GAA 기반 3나노 공정 반도체 첫 고객은 중국 비트코인 채굴용 반도체(ASIC) 팹리스 업체로 알려졌다.

삼성의 최대 고객인 퀄컴도 새로운 제조 공정을 이용하기 위해 예약했다. 소식통에 따르면 퀄컴은 언제든지 참여할 수 있지만 약속하지는 않았다고 한다.

앞서 퀄컴은 4나노 칩을 주문했으나 지난 2월 삼성의 생산량 부족으로 취소됐다. 이로 인해 퀄컴은 또 다른 회사인 대만 반도체 제조사인 TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)에 기대게 되었다.
삼성의 최신 제품은 이름에서 알 수 있듯이 네 면에 게이트가 있는 게이트올어라운드(Gate-All-Aound)라고 불린다.

지금까지 가장 상업적으로 성공한 공정은 4개 대신 3개 표면만 활용한 핀펫(FinFET)이다.

이 업그레이드를 통해 게이트가 더 좁아지고 전류를 보다 정밀하게 제어할 수 있다고 한다.

보고서에 따르면 시험 생산이 성공하면 면적이 45% 감소하고 효율성이 30% 증가한다.

또한, 테크 모니터(Tech Monitor)는 TSMC의 3나노 공정이 반도체의 크기를 줄여 전력 소비량을 최대 30% 줄이고 속도를 최대 15% 증가시키는 동시에 트랜지스터 밀도를 33% 향상시켜 하드웨어를 더욱 강력하게 만들 것이라고 보고했다.

비트코인 매거진은 비록 이 보고서가 지난해 나온 것이지만, 이러한 발전이 기술에 미칠 수 있는 영향을 이해하는 것은 여전히 ​​가치가 있다고 덧붙였다.


김성은 글로벌이코노믹 기자

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