2026.08.05 15:10
삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리 기술을 놓고 로드맵 경쟁에 나선다. 고대역폭메모리(HBM)를 두고 치열한 주도권 경쟁을 펼치고 있는 양사는 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열리는 FMS 2026에 맞춰 나란히 새로운 기술을 선보이며 경쟁에 들어갔다. 양사 모두 현재 HBM의 한계를 놓고는 동일한 진단을 내렸다. AI 시장이 에이전틱 AI로 넘어가면서 처리해야 할 토큰과 문맥 데이터가 폭증하고, 데이터 이동 과정에서 발생하는 전력 소모가 새로운 병목이 되고 있다는 분석이다. 이에 따라 삼성전자가 선보인 차세대 메모리는 'zHBM'이다. 5일 업계에 따르면 삼성전자는 4일(현지 시각) FMS 2026에서 차세대 3D 메모리
2026.07.20 07:43
인공지능용 고대역폭메모리(HBM)로 제조사들의 역량이 쏠리면서 범용 디램(DRAM) 생산능력은 상대적으로 축소됐다. 반도체 가격 상승이 개인용 컴퓨터(PC)와 스마트폰 등 완제품 가격 인상으로 이어져 전체 물가를 밀어올리는 ‘칩플레이션’ 우려도 커지고 있다. 이 같은 시장 변동성과 공급 부족에 대응하기 위해 SK하이닉스는 미국 인디애나주에 38억7000만 달러(약 5조 7700억 원) 규모의 고도 패키징 시설 건설을 추진하며 현지 생산 거점 확보에 속도를 내고 있다.반도체 업계는 HBM 생산라인 전환에 따른 범용 디램의 공급 부족이 단기간에 해소되기 어렵다고 보고 있다. 미국 반도체 시장조사기관 지투데이터(Z2Data)는 최근 펴낸 2026년
2026.06.12 07:30
삼성전자가 HBM5의 2나노 공정과 새 열관리 기술을 앞세워 인공지능(AI) 메모리 주도권 탈환을 겨냥했다. 송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO)는 지난 2일(현지시각) 대만 타이베이 컴퓨텍스 2026에서 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 실물 모형을 세계 처음으로 공개했다. 모형은 구동 칩이 아니라 차세대 구조를 보여주는 전시용 견본이다.송 사장은 "메모리·파운드리·로직·패키징을 아우르는 종합 경쟁력이 갈수록 중요해진다"며 엔비디아 등과의 협력 의지를 밝혔다.2나노 베이스 다이로 기술 선점 시도이번 공개의 핵심은 두 가지다. 첫째, HBM5의 베이스(로직) 다이를 삼성 자체 2나노 파운드리 공정으로 만든다. 현재 HBM4·HBM4E의
2026.04.29 10:58
엔비디아(NVIDIA)가 차세대 메모리 기술인 '고대역폭 플래시(HBF)' 도입에 대해 신중한 입장을 취했다. 현재로서는 기존 HBM4E(5세대 HBM) 체제를 중심으로 AI 연산 효율을 극대화하는 로드맵에 집중하겠다는 전략이다. 반면 구글은 HBF 기술의 확장성에 주목하며 독자적인 AI 인프라 구축에 나섰다.28일(현지시각) Wccftech와 디지타임스(Digitimes) 보도를 종합하면, 글로벌 빅테크 기업 간의 AI 인프라 표준을 둘러싼 기술 전략 차별화가 본격화하고 있다.'용량'보다 '효율'… 엔비디아, 메모리 전략의 우선순위 조정엔비디아의 기술 로드맵은 '연산 효율'에 방점이 찍혀 있다. 샌디스크와 SK하이닉스가 공동 개발 중인 HBF는 HBM 대비 최대 1
2026.02.26 13:58
SK하이닉스와 샌디스크는 25일(현지 시각) 미국 캘리포니아주 밀피타스에 있는 샌디스크 본사에서 'HBF 스펙 표준화 컨소시엄 킥오프' 행사를 열고, 인공지능(AI) 추론 시대를 겨냥한 차세대 메모리 솔루션 고대역폭플래시메모리(HBF)의 글로벌 표준화 전략을 발표했다고 26일 밝혔다. SK하이닉스는 "샌디스크와 함께 HBF를 업계 표준으로 마련해 AI 생태계 전체가 함께 성장할 수 있는 기반을 구축하겠다"면서 "OCP 산하에 핵심 과제 전담 워크스트림을 샌디스크와 함께 구성해 본격적인 표준화 작업에 착수한다"고 설명했다. 최근 AI 산업은 거대언어모델(LLM)을 만드는 '학습' 단계에서 실제 서비스를 제공하는 '추론' 단계로 무게![[실리콘 디코드] 'HBM 다음은 HBF'…SK하이닉스·삼성·샌디스크, 차세대 메모리 격돌](https://nimage.g-enews.com/phpwas/restmb_setimgmake.php?w=214&h=142&m=5&simg=2025111213503405686fbbec65dfb591524497.jpg)
2025.11.13 04:15
'HBM(고대역폭 메모리)의 아버지'로 불리는 김정호 카이스트(KAIST) 교수가 "HBM 시대는 끝나고 HBF 시대가 오고 있다"는 전망을 내놓아 업계의 이목이 쏠리고 있다. 인공지능(AI) 시대의 기술 패권이 GPU(그래픽 처리 장치)에서 메모리로 이동하고 있다는 분석과 함께, HBM을 이을 차세대 메모리로 'HBF(고대역폭 플래시)'가 급부상하고 있다고 IT전문 매체 트렌드포스가 12일(현지시각) 보도했다. 이에 SK하이닉스, 삼성전자, 샌디스크 등 세계적인 반도체 기업들이 HBF 시장을 선점하기 위한 주도권 경쟁에 본격적으로 뛰어들었다.김 교수는 최근 한 유튜브 프로그램에 출연해 "AI 시대에는 힘의 균형이 GPU에서 메모리로 이동하고 있다"고 단![[실리콘 디코드] 삼성전자, CES 2026서 차세대 메모리 솔루션 대거 공개](https://nimage.g-enews.com/phpwas/restmb_setimgmake.php?w=214&h=142&m=5&simg=2025111009481906048fbbec65dfb591524497.jpg)
2025.11.10 09:49
삼성전자가 2026년 1월 열리는 세계 최대 가전·IT 전시회 'CES 2026'에서 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개한다고 IT 전문매체 트윅타운이 9일(현지 시각) 보도했다. 인공지능(AI)과 게이밍, 에지 컴퓨팅, 고성능 컴퓨팅 시장과 프리미엄 모바일 기기를 겨냥한 LPDDR6 D램과 PM9E1 Gen5 SSD가 그 주인공이다. LPDDR6는 최대 10.7Gbps의 속도와 21% 향상된 에너지 효율을, PM9E1 SSD는 22x42㎜의 초소형 폼팩터에도 최대 14.8GB/s의 읽기 속도를 구현해 업계의 이목이 집중되고 있다. CES 2026 개막이 다가오는 가운데 주최 측은 '2026년 혁신상(Innovation Awards)' 수상 제품 일부를 발표했다. 삼성전자는 이번 발표에서 LPDDR6 메모리와 PM9E![[초점] 삼성전자, 차세대 메모리 특허 10년 만에 '최대'…AI 주도권 확보 총력](https://nimage.g-enews.com/phpwas/restmb_setimgmake.php?w=214&h=142&m=5&simg=2025093004125906301fbbec65dfb210178127232.jpg)
2025.09.30 04:13
생성형 인공지능(AI) 시대가 열리면서 반도체 시장의 패권 경쟁이 격화되는 가운데 '메모리 거인' 삼성전자가 기술 초격차 전략을 다시 꺼내 들었다. 2020년대를 기점으로 차세대 메모리 관련 특허 출원을 폭발적으로 늘리며 10여 년 만에 연구개발(R&D) 리더십 재건에 나선 것이다. 이러한 움직임은 AI 시장 대응에 한발 늦었다는 평가를 뒤집고, CXL(컴퓨트 익스프레스 링크)과 MRAM(자기저항메모리) 등 미래 기술로 주도권을 되찾으려는 삼성의 강력한 의지를 보여준다. 일본 니혼게이자이신문의 기술 전문지 닛케이 크로스텍과 닛케이 일렉트로닉스는 지난달 29일(현지 시각) 특허분석업체 페이턴트필드의 자료를 인용해 삼성전자의 메모리 반
2022.08.03 20:22
삼성전자는 2일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2022'에서 차세대 메모리 솔루션을 공개했다. 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·FMS)은 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스다.삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실 최진혁 부사장은 이날 '빅데이터 시대의 메모리 혁신'이라는 주제로 기조 연설을 진행한 뒤 차세대 메모리 솔루션을 소개했다.먼저 최 부사장은 인공지능(AI), 메타버스(Metaverse), 사물인터넷(IoT), 미래차(Automotive), 5G·6G 등 서비스가 확대되며 데이터가 폭발적으로 증가하고, 산업 지형이 데이터를 중심으로 변화하는 '데이터 중력' 현상이 일어나
2022.08.03 10:37
삼성전자가 2일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2022(Flash Memory Summit)'에서 차세대 메모리 솔루션을 대거 선보였다. 플래시 메모리 서밋 2022(Flash Memory Summit)은 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스다. 최진혁 삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실 부사장은 이날 '빅데이터 시대의 메모리 혁신(Memory Innovations Navigating the Big Data Era)'이라는 주제의 기조 연설을 진행했다. 삼성전자는 인공지능(AI), 메타버스(Metaverse), 사물인터넷(IoT), 미래차(Automotive), 5G·6G 등 서비스가 확대되며 데이터가 폭발적으로 증가하고, 산업 지형이 데이터
2022.08.01 14:06
SK하이닉스는 DDR5 D램 기반 첫 CXL 메모리 샘플을 개발했다고 1일 밝혔다. 이번에 선보인 제품의 폼팩터(Form Factor, 제품의 외형이나 크기)는 EDSFF E3.S 로 PCIe 5.0 x8 Lane을 지원하며 CXL 컨트롤러를 탑재하고, DDR5 표준 D램을 사용한다. CXL(Compute Express Link)은 고성능 컴퓨팅 시스템을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스를 말한다. SK하이닉스는 CXL 컨소시엄 발족 초기부터 참여했다. CXL 메모리 시장의 핵심은 '확장성'이다. 서버 플랫폼 채용과 동시에 메모리의 용량과 성능이 고정되는 기존 서버 시장의 한계점을 보완해 유연하게 메모리를 확장할 수 있다. 특히, AI·빅데이터 등의 고성능 연산 시스템
2022.05.25 11:26
삼성전자와 레드햇(Red Hat)은 차세대 메모리 분야 소프트웨어 기술 관련 상호 협력키로 했다고 25일 밝혔다. 레드햇은 글로벌 오픈소스 솔루션 선도 기업으로, 두 회사는 NVMe SSD(비휘발성 저장장치를 적용한 솔리드 스테이트 드라이브), CXL 메모리(고성능 컴퓨팅 시스템을 위한 인터페이스를 적용한 메모리), 컴퓨테이셔널 메모리‧스토리지 (분산 연산이 가능한 메모리‧스토리지), 패브릭(Fabrics) 등 차세대 메모리 솔루션 기술 관련 소프트웨어 개발과 에코시스템 확대를 위해 협력하기로 했다.또한, 삼성전자가 개발하는 메모리 소프트웨어 기술이 레드햇 리눅스를 포함한 오픈소스 소프트웨어에서 지원이 가능하도록 협력하고, 검증과
2022.02.16 09:46
SK하이닉스는 연산 기능을 갖춘 차세대 메모리반도체인 'PIM(Processing-In-Memory)'을 개발했다고 16일 밝혔다.PIM은 메모리 반도체에 연산 기능을 더해 인공지능(AI)과 빅 데이터 처리 분야에서 데이터 이동 정체 문제를 풀어낼 수 있는 차세대 기술이다.그동안 메모리 반도체는 데이터 저장 역할을 맡고, 사람의 뇌와 같은 기능인 연산(Processing) 기능은 비메모리반도체인 CPU(중앙처리장치)나 GPU(그래픽처리장치)가 담당한다는 것이 일반적인 인식이었다. SK하이닉스는 이런 관념을 깨고 연산도 할 수 있는 ‘차세대 스마트 메모리’를 꾸준히 연구해왔고, 이번에 첫 결과물을 선보이게 됐다고 설명했다.SK하이닉스는 이달 말 미국 샌프란![[글로벌-Biz 24] 인텔, 차세대 메모리 반도체 '3D X포인트' 중국서 생산](https://nimage.g-enews.com/phpwas/restmb_setimgmake.php?w=214&h=142&m=5&simg=2019051408422000027e8b8a793f7210178107185.jpg)
2019.05.14 08:47
세계 최대 반도체업체 인텔 최고경영자(CEO) 밥 스완은 지난 주 당분간 낸드(NAND) 플래시 메모리 생산을 늘리지 않겠다고 재차 확인했다고 현지 매체가 13일(현지시간) 보도했다. 인텔은 이미 중국의 반도체 굴기 등으로 낸드 플래시의 공급 과잉과 가격 하락에 직면해 이 제품의 생산 축소를 밝힌 바 있다. 인텔은 이와 함께 차세대 메모리 반도체로 주목을 받고 있는 3D 크로스(X)포인트(제품명 옵테인) 제작을 중국 다롄에 있는 자사 반도체 공장 Fab68로 옮길 계획인 것으로 알려졌다. 이 공장은 지난 2010년 가동이 시작돼 낸드 플래시를 생산하면서 그동안 꾸준히 생산량을 늘려왔다. 인텔의 낸드 플래시 생산 축소 방침에 따라 이 공장에
2019.03.06 17:20
삼성전자는 ‘28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 M램)’ 솔루션 제품을 출하했다고 6일 밝혔다.M램은 기존 플래시 메모리보다 쓰기 속도가 약 1000배 빠르고 전력 소모가 적은 차세대 메모리다. 비휘발성으로 전원을 꺼도 데이터가 유지되지만, D램 수준으로 속도가 빠르다는 장점이 있다. 삼성전자가 이번에 출하한 M램은 내장형(embedded) 메모리다. 소형 전자 제품에 사용하는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 등 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 한다. 기존에는 주로 플래시 메모리를 사용해왔다.삼성전자가 이번 M램 생산에 사용한 FD-SOI 공정은 실리1
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