글로벌이코노믹

'83년생 최연소 임원' 이동훈 SK하이닉스 부사장 "321단 4D 낸드, 업계 새로운 이정표 될 것"

'83년생 최연소 임원' 이동훈 SK하이닉스 부사장 "321단 4D 낸드, 업계 새로운 이정표 될 것"
2024.02.14 12:04
SK하이닉스 뉴스룸의 두번째 인터뷰 주인공은 역대 최연소 임원으로 발탁된 1983년생 MZ세대인 이동훈 부사장이다. 이 부사장은 14일 인터뷰에서 세계 최고층 321단 4D 낸드 개발에 대한 자신감을 내비쳤다.이 부사장은 “현재 개발 중인 321단 4D 낸드는 업계의 새로운 이정표가 될 것”이라며 “최대한 빠르게 개발을 마무리하고 제품을 공급하며 리스크를 최소화하는 것을 단기적인 목표로 생각하고 있다”고 밝혔다. 이 부사장은 지난해 말 2024년 SK하이닉스 신임 임원 인사에서 역대 최연소 임원으로 선임됐다. 이 부사장은 SK하이닉스의 젊은 리더십의 상징과도 같은 존재다. 그는 2006년 대학에서 SK하이닉스 장학생으로 선발돼 석·박

SK하이닉스, 세계 최고층 238단 4D 낸드 양산 돌입

SK하이닉스가 세계 최고층 낸드플래시 제품 양산을 시작한다. SK하이닉스는 지난해 8월 세계 최고층 낸드인 238단 개발에 성공했다.SK하이닉스는 8일 세계 최고층 제품인 238단 4D 낸드플래시 양산을 시작한다고 밝혔다. 또한 제품 양산과 동시에 스마트폰을 생산하는 해외 고객사와 제품 인증 과정도 함께 진행한다고 덧붙였다. 세계에서 가장 작은 사이즈의 칩으로 구현된 238단 낸드는 이전 세대인 176단보다 생산효율이 34% 높아져 원가 경쟁력이 크게 개선됐다. 데이터 전송 속도도 초당 2.4Gb(기가비트)로 이전 세대보다 50% 빨라졌다. 읽기, 쓰기 성능 또한 약 20% 개선된 만큼 이 제품을 사용하는 스마트폰과 PC 고객에게 향상된 성능을

SK하이닉스, '세계 최고층이자 가장 작은' 238단 4D 낸드 개발

SK하이닉스, '세계 최고층이자 가장 작은' 238단 4D 낸드 개발
2022.08.03 08:38
SK하이닉스가 176단에 이어 238단 낸드 개발에도 성공했다. SK하이닉스는 현존 최고층 238단 낸드 개발에 성공했다고 3일 발표했다. SK하이닉스는 최근 238단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 샘플을 고객에게 출시했고, 내년 상반기 양산에 들어간다는 계획이다. 회사 측은 "2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다"며 "특히 이번 238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는 데 의미를 둔다"고 밝혔다. 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 ∆SLC(Single Level Cell, 1개) ∆M

SK하이닉스, 업계 최고층 ‘176단 4D 낸드’ 개발

SK하이닉스가 업계 최고층인 176단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시를 개발했다고 7일 밝혔다. SK하이닉스는 이 제품을 솔루션화하기 위해 지난달 컨트롤러 업체에 샘플을 제공했다.SK하이닉스는 96단 낸드플래시부터 CTF(Charge Trap Flash)와 고집적 PUC(Peri Under Cell) 기술을 결합한 4D 제품을 시장에 선보이고 있다. 이번에 개발한 176단 낸드는 3세대 4D 제품으로 업계 최고 수준의 웨이퍼 당 생산 칩 수를 확보했다. 이를 통해 비트 생산성은 이전 세대보다 35% 이상 향상돼 차별화된 원가경쟁력을 갖출 수 있게 됐다. 2분할 셀 영역 선택 기술을 새롭게 적용해 셀(Cell)에서 읽기 속도는 이전 세대 보다 20% 빨라

SK하이닉스, 세계 최초 ‘128단 4D 낸드’ 개발 성공

SK하이닉스가 세계 최초로 128단 1Tbit(테라비트) TLC(Triple Level Cell)4D 낸드플래시를 개발하고 양산에 나선다고 26일 밝혔다. 지난해 10월 96단 4D 낸드 개발 이후 8개월 만에 거둔 쾌거다. ◇업계 최고 적층 128단으로 1Tb 4D TLC 낸드 구현 SK하이닉스가 이번에 양산하는 128단 낸드는 업계 최고 적층으로 한 개의 칩에 3bit(비트)를 저장하는 낸드 셀(Cell) 3600억개 이상이 집적된 1Tb 제품이다. SK하이닉스는 이를 위해 자체 개발한 4D 낸드 기술에 ▲ 초균일 수직 식각 기술 ▲ 고신뢰성 다층 박막 셀 형성 기술 ▲ 초고속 저전력 회로 설계 등 혁신적인 기술을 적용했다. 이 제품은 TLC 낸드로는 업계 최고 용량인 1Tb를 구현했다

SK하이닉스, 96단 4D 낸드 기반 고성능 1Tb QLC 샘플 출하

SK하이닉스가 1테라비트급 QLC(쿼드러플 레벨 셀) 메모리 제품을 개발해 주요 고객사에 샘플 출하했다고 9일 밝혔다.SK하이닉스에 따르면 이 제품은 현재 양산 중인 세계 최초 96단 CTF(Charge Trap Flash) 기반 4D 낸드 기술에 자체 QLC 설계 기술을 적용한 것이다.QLC는 데이터를 저장하는 최소 단위 '낸드 셀(Cell)'에 4비트(bit)를 저장할 수 있는 기술이다. 이 기술을 활용하면 셀 하나에 3비트를 저장하는 TLC대비 동일한 면적에서 집적도를 높일 수 있어 원가경쟁력을 갖춘 고용량 제품을 내놓을 수 있게 된다. QLC 기술로 1테라비트를 구현하기 위해서는 손톱 크기의 작은 칩에 총 2748억 개 셀 집적과 고도의 QLC 설계 기술이 필요하다.

SK하이닉스, 세계 최초 CTF 기반 '96단 4D 낸드' 개발

SK하이닉스는 지난 10월 말 세계 최초로 4D 낸드 구조의 96단 512Gbit(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 낸드플래시 개발에 성공해 연내 초도 양산에 진입한다고 4일 밝혔다. 신제품은 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri Under Cell)를 결합한 방식으로 512Gbit 낸드 칩 하나로 64GByte(기가바이트)의 고용량 저장장치 구현이 가능한 고부가가치 제품이다.SK하이닉스 4D 낸드는 4D 대부분 업체가 3D 낸드에 채용 중인 CTF 셀 구조와 PUC(Peri Under Cell) 기술을 결합한 점이 특징이다. 우수한 CTF 기반에서는 최초로 PUC를 도입해 업계 최고 수준의 성능과 생산성을 동시에 구현한다.CTF 기술은 기존 2D 낸드에서 주로 채용했던 플로팅 게이트