SK하이닉스, 일본 JSR사와 차세대 D램용 'EUV 포토레지스트' 공동개발

SK하이닉스가 일본 JSR사와 기술협력한다. SK하이닉스가 최근 첨단 D램 반도체 제조에 일본 JSR사의 극자외선(EUV) 금속산화물 레지스트(MOR) 인프리아를 적용하기 위해 공동개발을 가속화한다고 발표했다.

일본 JSR사의 EUV용 인프리아 금속 산화물 포토레지스트 플랫폼은 다양한 특허를 받았으며 노드 장치 아키텍처를 효율적으로 패턴화할 수 있도록 도와준다. 또한 패턴화 비용 절감에 기여하며 검증된 프로세스 및 장비 구성과 호환된다고 알려졌다. 인프리아의 레지스트는 표준 스핀 코팅 공정에 적용될 예정이다.

SK하이닉스측은 "EUV 제조는 복잡하고 첨단 소재가 필요하다"며 "산화주석 저항성은 차세대 최첨단 D램의 성능과 낮은 제조 비용 모두를 제공할 수 있는 가능성을 보여준다“고 언급했다.

스하라 다다히로 JSR 상무는 "JSR의 기술은 항상 소재 혁신에 기반을 두고 있었다"며 "최소 기능의 효율적인 인쇄를 가능하게 해 SK하이닉스 기술 로드맵을 앞당길 것을 확신한다"고 말했다.
EUV는 반도체 제조에 사용되는 가장 진보된 리소그래피 공정에서 이미 상업 생산에 사용되고 있으며, 반도체 공정이 더 작은 차원으로 이동함에 따라 사용성이 크게 증가할 것으로 예상된다.

한편, JSR은 2021년 인프리아를 인수했으며, 인프리아는 금속 산화물 EUV 저항성의 선두주자로 EUV 노출 시스템을 사용하여 세계 최고 해상도를 달성했다. 현재 EUV 채택이 계속 증가함에 따라 대량 생산을 위한 생산 능력과 고객 지원 서비스 확대에 투자하고 있다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com