키옥시아, 9세대 1Tb 낸드 출하… 10세대급 성능 구현

일본 키옥시아가 230단 적층 공정을 적용한 9세대 1테라비트(Tb) 낸드플래시 메모리 샘플 출하를 시작했다.

일본 일간공업신문 뉴스위치는 30일 키옥시아가 웨이퍼 본딩 기술로 인터페이스 속도를 33% 개선하며 AI 기기 시장 공략에 나섰다고 보도했다. 키옥시아의 원가 절감형 고성능 낸드 공급 확대는 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 메모리 기업의 모바일·PC용 eMMC 및 UFS 시장 가치사슬에도 직접적인 영향을 미칠 것으로 관측된다.


키옥시아의 이번 9세대 낸드플래시(BiCS FLASH) 용량 1테라비트(Tb)의 트리플레벨셀(TLC) 신제품 샘플 출하를 개시는 온디바이스 인공지능(AI) 연산 기능을 탑재한 차세대 개인용 컴퓨터(PC)와 플래그십 스마트폰을 핵심 표적으로 삼아 공급을 추진하기 위함이다.
키옥시아는 동일한 9세대 공정에서 512기가비트(Gb) 용량 제품을 먼저 양산 출하한 데 이어 1Tb 제품으로 전선을 넓혔다. 신제품 생산 기지는 일본 미에현에 위치한 핵심 생산 거점인 욧카이치 공장이다.

대용량 모바일 저장장치 수요가 급증하는 국면에서 선제적인 고용량 샘플 공급을 통해 글로벌 세트 제조사들의 공급망 진입을 가속화하겠다는 포석이다.


이번 9세대 신제품의 핵심 경쟁력은 독자적인 웨이퍼 접합 공정을 통한 원가 절감과 성능 개선의 동시 달성에 있다.

키옥시아는 8세대부터 선제 도입한 웨이퍼 본딩 기술인 'CBA(CMOS directly Bonded to Array)' 공법을 9세대에도 적용했다. 이는 230단 적층 프로세스의 메모리 셀 웨이퍼와 주변 회로를 담당하는 상보형금속산화막반도체(CMOS) 로직 웨이퍼를 각각 제조한 뒤 수직 접합하는 첨단 패키징 방식이다.
이 결합 공정을 통해 데이터 입출력(인터페이스) 전송 속도를 8세대 대비 33% 끌어올려 초당 4.8기가비트(Gbps) 수준에 도달시켰다. 이는 차세대 규격인 10세대 제품과 대등한 전송 효율이다.

키옥시아는 적층 단수를 극대화해 초고용량을 구현하는 10세대 개발과 신규 설비 투자 비용을 억제하며 수익성을 극대화하는 9세대 양산이라는 '투 트랙' 전략을 병행할 방침이다.


키옥시아의 원가 절감형 230단 1Tb 낸드 출하는 글로벌 낸드 시장을 주도하는 한국 메모리 반도체 산업 가치사슬에도 직접적인 영향을 미칠 것으로 보인다.

200단 이상 고단화 낸드 시장에서 경쟁 중인 삼성전자(V9)와 SK하이닉스(V9)는 PC 및 스마트폰 제조사 대상 모바일용 임베디드 저장장치 공급선에서 키옥시아의 거센 판가 공세에 직면할 수 있다.

AI 기기 보급 확대로 고성능·고용량 모바일 낸드 수요가 동반 팽창할 경우 삼성전자와 SK하이닉스가 축적된 양산 수율 우위를 앞세워 프리미엄 시장 지배력을 방어하는 긍정적 경로가 열릴 수 있다.

반면 키옥시아가 CBA 기반의 원가 경쟁력을 무기로 1Tb TLC 공급 가격을 공격적으로 낮출 경우 글로벌 범용 낸드 평균판매단가(ASP) 회복이 지연되며 국내 기업의 분기 낸드 영업이익률이 둔화할 위험이 상존한다. 키옥시아의 욧카이치 1Tb 양산 수율 안정화 속도와 주요 고객사 채택 여부가 핵심 변수로 꼽힌다.

글로벌 반도체 시장 전문가는 "키옥시아가 투자비를 아끼면서도 10세대급 성능을 내는 9세대 1Tb 낸드를 내놓은 것은 전형적인 실리형 점유율 방어 전략"이라며 "한국 기업들이 주도하는 AI PC와 온디바이스 스마트폰 시장에서 판가 경쟁이 한층 치열해질 것"이라고 분석했다.


이용수 글로벌이코노믹 기자 piscrait@g-enews.com