2026.04.21 07:07
삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 핵심 소재인 EUV(극자외선) 블랭크 마스크의 국산화에 속도를 낸다. 최근 4nm 양산 라인에 국내 기업 제품을 투입해 성능 검증에 돌입했다. 그간 일본 호야·아사히글라스가 독점해온 공급망에 균열을 내며 핵심 소재 주도권 확보에 나섰다. 20일(현지시각) 디지타임스 등 외신을 종합하면, 이번 조치는 단순한 부품 교체를 넘어 '소부장(소재·부품·장비) 자립'이라는 경제안보 전략과 맞닿아 있다.4nm 공정, 국산 소재 첫 실전 배치삼성전자는 지난 3월 에스앤에스텍(S&S Tech)으로부터 공급받은 EUV 블랭크 마스크 샘플을 4nm 공정 라인에 적용했다. 실험실 수준의 테스트를 넘어 실제 생산 환경에서 검
2026.03.25 07:15
SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 시장의 ‘절대 강자’ 지위를 지키기 위해 네덜란드 ASML과 12조 원 규모의 차세대 노광장비 도입 계약을 체결하며 승부수를 던졌다. SK하이닉스는 최근 이사회를 열고 오는 2027년 12월 31일까지 69억1300만 유로(약 12조 원)를 투입해 극자외선(EUV) 노광장비를 차례대로 매입하기로 공시했다. 이번 결정은 엔비디아에 공급하는 고대역폭메모리(HBM)의 압도하는 우위를 유지하고, 차세대 미세 공정 양산 체제를 선제적으로 구축하려는 전략으로 풀이된다고 월스트리트저널이 24일(현지 시각) 보도했다.‘반도체의 눈’ EUV 12조 원어치 싹쓸이…6세대 HBM4 공정 정조준SK하이닉스가 도입하는 EUV 노광장비는
2026.01.31 07:49
인텔이 대만 파운드리 업체 TSMC를 추격하기 위해 대당 최대 4억 달러(약 5800억 원)에 달하는 ASML의 차세대 고개구수(高NA) 극자외선(EUV) 리소그래피 장비에 승부를 걸었다.톰스하드웨어와 디지타임스, 풀닷컴 등은 지난 30일(현지시간) 인텔이 로직 타일 4개와 고대역폭메모리(HBM) 4세대 12단 적층을 결합한 대형 AI 칩 테스트베드를 공개하고, 2027년 14A(1.4나노미터급) 공정 양산을 목표로 고NA EUV 장비 배치를 확대하고 있다고 보도했다.고NA EUV는 기존 EUV보다 더 높은 해상도를 제공하는 차세대 노광 장비다. NA(개구수)는 렌즈가 빛을 모으는 능력을 나타내는 지표로, 값이 높을수록 더 미세한 패턴을 새길 수 있다. 기존 EUV 장비
2026.01.20 18:53
삼성전자가 미국 텍사스주 테일러 파운드리 공장에서 오는 3월 극자외선(EUV) 노광장비 시험 가동을 시작한다. 올해 하반기 완전 가동을 앞두고 지난해 7월 테슬라로부터 수주한 23조 원대 차세대 자율주행 칩 생산에 나서는 것이다.디지타임스는 20일(현지시각) 삼성전자가 조만간 현지 주정부와 테일러시에 1공장 임시사용승인을 신청한다고 보도했다. 임시사용승인은 소방·안전 요건을 충족하면 준공 전에도 시설을 제한적으로 사용할 수 있도록 허용하는 행정 절차다. 삼성은 빠른 수율 안정화를 위해 본사 엔지니어들을 대거 현지에 파견했다.막바지 공사 현장에 7000명 투입보도에 따르면 최근 테일러 1공장은 건물마다 달라붙어 있던 크레![[실리콘 디코드] 인텔, 2세대 하이-NA EUV 인수 테스트 완료…'포스트 2나노' 양산 가속](https://nimage.g-enews.com/phpwas/restmb_setimgmake.php?w=214&h=142&m=5&simg=2025121713375709528fbbec65dfb591524497.jpg)
2025.12.18 03:05
파운드리 왕좌 탈환을 노리는 인텔의 '장비 선점' 전략이 마침내 연구실을 넘어 실제 생산 라인의 문턱에 도달했다. 네덜란드 ASML과 손잡고 세계 최초로 도입한 2세대 하이-NA EUV 장비가 인수 테스트를 통과하면서, 2나노미터(nm) 이하 초미세 공정의 '속도전'에서 인텔이 유리한 고지를 선점했다는 평가가 나온다.인텔은 최근 자사 블로그를 통해 2세대 하이-NA(High-NA) EUV 시스템인 '트윈스캔(TWINSCAN) EXE:5200B'의 인수 테스트(Acceptance Testing)를 성공적으로 마쳤다고 발표했다. 이번 성과는 단순한 장비 도입을 넘어, 인텔 파운드리 서비스(IFS)의 제조 역량이 실제 양산 가동이 가능한 수준으로 성숙했음을 입증하는 중대한 분기점![[실리콘 디코드] 화웨이, EUV 없이 '2nm 기적' 도전…3년 전 특허로 美 제재 뚫나](https://nimage.g-enews.com/phpwas/restmb_setimgmake.php?w=214&h=142&m=5&simg=2025120610582808703fbbec65dfb121131206187.jpg)
2025.12.07 03:10
미국의 강력한 대중(對中) 반도체 제재로 첨단 장비 수급이 막힌 중국 화웨이가 3년 전 출원한 특허 기술을 앞세워 '2나노미터(nm) 공정'이라는 불가능에 가까운 목표에 도전하고 있다. 네덜란드 ASML이 독점 생산하는 극자외선(EUV) 노광 장비 없이, 구형 심자외선(DUV) 장비만으로 초미세 공정의 한계를 넘어서겠다는 전략이다. 이는 물리적 한계를 극복하려는 시도이자, 기술 패권을 둘러싼 미·중 갈등의 최전선에서 벌어지는 필사적인 생존 투쟁으로 해석된다.4일(현지시각) IT 전문 매체 폰아레나 등 외신은 사우스차이나모닝포스트(SCMP)를 인용해 화웨이가 2022년 출원한 특허 기술을 활용, DUV 장비로 2나노급 반도체 칩을 생산하는 방안![[실리콘 디코드] TSMC, 1nm 공정 로드맵 수정…'High-NA EUV' 대신 '펠리클' 택했다](https://nimage.g-enews.com/phpwas/restmb_setimgmake.php?w=214&h=142&m=5&simg=2025102315031308893fbbec65dfb591524497.jpg)
2025.10.24 03:25
세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 TSMC가 1.4나노미터(nm)와 1nm 등 2nm 이하 초미세 공정 도입 전략에서 '승부수'를 던졌다. 현재 최첨단 장비로 꼽는 ASML의 'High-NA(하이 NA)' EUV(극자외선) 장비를 도입하는 대신, 기존 표준 EUV 장비와 '포토마스크 펠리클(Pellicle)' 조합을 활용하는 우회로를 택했다.이 결정은 대당 4억 달러(약 5200억 원)에 이르는 막대한 장비 비용과 공급 안정성 문제를 고려한 전략이다. TSMC가 비용과 안정성의 균형점을 찾아 업계의 통상적인 예상을 깬 '대안'을 선택하면서 그 배경에 이목이 쏠리고 있다고 IT전문 매체 WCCF테크가 23일(현지시각) 보도했다.TSMC는 2025년 말 2nm 공정의 본격적인 대량![[실리콘 디코드] 삼성전자, 2.6조원 EUV 투자…메모리·파운드리 '초격차' 굳힌다](https://nimage.g-enews.com/phpwas/restmb_setimgmake.php?w=214&h=142&m=5&simg=2025101914390106939fbbec65dfb210178127232.jpg)
2025.10.19 14:39
삼성전자가 주춤했던 설비투자 기조를 깨고 극자외선(EUV) 장비에 조 단위의 대규모 투자를 단행한다. 총 2조 6000억 원 규모의 이번 투자는 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산) 사업의 두 날개를 동시에 강화해 2026년 전후로 다가올 '메모리 슈퍼사이클'의 주도권을 잡겠다는 전략으로 풀이된다. 인공지능(AI) 시대가 열리며 폭증하는 차세대 D램과 고대역폭 메모리(HBM) 수요에 선제적으로 대응하는 한편, 파운드리 부문에서는 초미세 공정 기술 격차를 벌리겠다는 '투트랙' 전략이 본격화하는 모양새다.지난 18일(현지시각) 대만 IT전문 매체 디지타임스 등 외신에 따르면 삼성전자는 메모리 사업부에 5대의 EUV 시스템을, 파운드리 사업부에![[실리콘 디코드] 삼성전자, ASML '하이 NA EUV' 품었다…글로벌 반도체 '기술 전쟁' 새 국면](https://nimage.g-enews.com/phpwas/restmb_setimgmake.php?w=214&h=142&m=5&simg=2025101707425505780fbbec65dfb210178127232.jpg)
2025.10.17 07:43
세계 반도체 패권 경쟁이 초미세 공정의 한계를 돌파하기 위한 '꿈의 장비' 확보 전쟁으로 치닫고 있다. 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 시장의 절대 강자 TSMC와 기술 초격차를 노리는 인텔을 추격하고자 약 1조1000억 원(약 7억7300만 달러)에 이르는 거액을 차세대 노광장비에 투입하기로 했다. 반도체 회로를 더욱 미세하게 새길 수 있는 ASML의 최신 '하이 NA EUV' 장비를 먼저 확보해, 2나노 이하 공정에서 판도를 바꿀 승부수로 삼겠다는 강력한 의지를 드러냈다.16일(현지시각) 디지타임스 등 외신에 따르면 삼성전자는 이 최첨단 장비를 자사의 2나노 공정과 그 이후 세대 공정에 배치할 계획이다. 이 장비로 생산하는 고성능·저
2025.09.26 08:54
인텔이 차세대 14A 공정 노드의 성공을 위해 ASML의 최첨단 High-NA EUV 리소그래피 장비를 2대 추가 주문한 것으로 알려졌다. 이번 전략적 투자는 최첨단 반도체 제조 기술을 활용해 TSMC와 삼성에 대한 인텔의 경쟁력을 강화하는 것을 목표로 한다고 25일(현지시각) 기술 전문 매체 트윅타운이 보도했다.X의 제리 캐피털이 9월 24일 공개한 정보에 따르면, 인텔은 현재 ASML의 High-NA EUV 리소그래피 장비를 1대만 보유하고 있지만 차세대 14A 공정 노드를 강화하기 위해 2대의 장비를 추가로 주문했다. 이는 특히 TSMC뿐만 아니라 삼성과 같은 경쟁사들과 실리콘 패권을 놓고 경쟁하기 위한 조치로 분석된다.인텔의 곧 출시될 14A 공정 노드는![[초점] 일본, 마이크론에 5조 원 지원…“HBM·EUV 투자 가속”](https://nimage.g-enews.com/phpwas/restmb_setimgmake.php?w=214&h=142&m=5&simg=2025092009375909220fbbec65dfb1161228193.jpg)
2025.09.20 09:38
지난 12일 일본 경제산업성(METI)은 마이크론에 히로시마 DRAM 공장 건설·생산·연구개발(R&D) 자금으로 최대 5,360억 엔(약 5조 원)을 지급하기로 결정했다.이 보조금은 고대역폭메모리(HBM)와 극자외선(EUV) 리소그래피 설비에 집중 투입돼, 마이크론이 히로시마 부지에 1조 5,000억 엔(약 14조2,000억 원)을 추가로 투자해 2027년까지 1감마 공정 DRAM 칩 양산을 달성하도록 돕는다. 트렌드포스가 지난 19일(현지시각) 보도했다.업계에서는 “일본이 외국 기업의 첨단 기술을 끌어들여 반도체 공급망을 재건하려는 전략”이라는 평가가 나온다.TSMC·소니 등 민관 합심 ‘생태계 강화’일본 정부는 TSMC가 구마모토에 짓는 6nm 전용 팹 2곳에
2025.09.06 10:22
삼성전자가 지난 3월 경기도 화성사업장에서 1.4나노미터(㎚) 공정용 High‐NA EUV(극자외선) 장비(EXE:5000)를 세계에서 3번째로 설치했다고 지난 5일(현지시각) Wccf테크가 보도했다. 인텔이 2024년 4월 자사의 오리건 D1X 팹에 세계 최초로 설치했고, 이어 TSMC가 뒤따랐고, 삼성전자는 세 번째로 도입한 것이다.보도에 따르면, 이 장비의 가격은 대당 약 4억 달러(약 5500억 원)이며 정부는 반도체 산업 경쟁력 강화를 위해 수입 관세 전액 면제를 검토 중이다.◇ 고해상도 장비로 미세공정 전환 가속Industry 관계자는 “High-NA EUV를 개발 초기 단계부터 도입해 생산 안정성을 앞당기려는 전략”이라고 설명했다. 이 장비는 기존 EUV보다
2025.09.05 08:19
삼성전자가 2나노미터(nm) 이하 초미세공정 반도체 양산을 앞당기려고 ASML의 차세대 하이 뉴메리컬어퍼처(High-NA) 극자외선(EUV) 노광장비를 추가로 들여오는 방안을 검토하고 있다고 트위크타운이 지난 4일(현지시각) 보도했다.◇ 2nm GAA 공정 완성도 높이려는 전략 투자삼성전자는 지난 3월 화성캠퍼스에 ASML의 하이-NA EUV 장비인 'EXE:5000'을 국내에서 처음 들여온 데 이어 추가 장비 도입을 검토하고 있는 것으로 전해졌다. 대당 가격이 약 5000억 원에 이르는 이 고가 장비는 기존 EUV 장비 가격인 약 2000억 원대를 훨씬 뛰어넘는 수준이다.하이-NA EUV 장비는 렌즈 개구수(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올려 기존 EUV 장비보다 1
2025.09.03 08:50
SK하이닉스가 3일 메모리 업계 최초로 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입했다. SK하이닉스가 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 High NA EUV 최초의 양산용 모델인 '트윈스캔 EXE:5200B'다. 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소와 집적도 향상의 핵심 장비로 평가된다. 이 장비를 사용하면 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다. SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협
2025.08.17 08:09
중국이 미국의 반도체 제재를 피하려고 자체 개발한 전자빔 노광장비와 화웨이의 극자외선 장비 개발로 반도체 기술 자립에 나섰다. 폰아레나는 지난 15일(현지시간) 보도를 통해 이 같은 중국의 반도체 기술 돌파 시도를 자세히 전했다.◇ 저장대 'Xizhi' 장비, 8nm 회로 새기기 성공저장대학교는 항저우에서 중국 최초의 전자빔 노광장비 'Xizhi(시즈)'를 개발했다고 밝혔다. 이 장비는 집중된 전자빔을 사용해 실리콘 웨이퍼에 회로 무늬를 새기는 방식으로, 8nm만큼 좁은 회로선을 새길 수 있으며 0.6nm의 위치 정확도를 구현해 국제 표준에 맞는다고 항저우데일리가 전했다.항저우데일리는 "수출 통제 때문에 이런 장비는 오랫동안 중국 과학1
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