日 키옥시아, 218단 8세대 3D 낸드플래시 개발

키옥시아가 31일(현지시간) 최첨단 낸드(NAND)형 플래시 메모리를 개발했다고 발표했다.

31일 니혼게이자이 신문에 따르면 키옥시아의 최첨단 낸드 플래시는 데이터를 저장하는 셀(Cell)을 218단으로 쌓아올리는 동시에 칩 면적당 데이터 밀도를 이전 세대 제품보다 50% 이상 높였다.

키옥시아는 메모리용 회로와 주변 회로를 별도 기판으로 만든 뒤 붙이는 'CBA'제조 기술을 새롭게 도입했다. 데이터 입출력 속도도 초당 3.2기가바이트 이상으로 이전 세대보다 용량을 60% 높였다.

키옥시아는 고객사에 샘플 출하를 시작했으며, 2023년 내로 양산에 들어갈 계획이라고 전했다.
낸드 플래시 메모리 분야에서 적층 경쟁이 치열해지고 있다.

미국 마이크론은 지난 해 7월 세계 최초로 232단 낸드 양산을 발표했다. 이에 SK하이닉스는 그해 다음 달인 8월 238단 4D 낸드플래시 개발에 성공했다고 발표한 바 있다. SK하이닉스는 4D 낸드 플래시 기술을 개발하면서 성능을 대폭 향상시킨 것으로 알려졌다.

낸드 플래시 분야 선도 기업 삼성 역시 지난 해 11월 236단 V8낸드 양산에 돌입했다.

낸드 플래시는 반도체 메모리 기술로 대량의 데이터를 저장할 수 있는 비휘발성 메모리를 말한다.

주로 컴퓨터, 스마트폰, 태블릿 등에 사용되며, 대용량 데이터를 저장하고 빠르게 액세스할 수 있는 고속 메모리다.
낸드 플래시 개발 업체들은 저장용 소자를 세로 방향으로 쌓아 면적당 저장 용량을 늘려왔다. 키옥시아는 평면 방향에도 셀을 더 많이 탑재해 업계 최고 수준의 메모리 밀도를 달성했다고 밝혔다.

키옥시아는 미국 웨스턴디지털(WD)과 공동으로 기술 개발과 설비 투자를 하고 있는 것으로 알려졌다. 알퍼 일리키바할 웨스턴디지털 수석 부사장은 "지속적인 연구개발 투자로 예정보다 빠르게 고성능의 솔루션을 제공할 수 있었다"고 전했다.

이번 최첨단 낸드 플래시는 회사가 개발한 3D 낸드플래시 메모리로 8세대에 해당한다. 현재 162단인 6세대는 초기 생산을 시작해 본격적인 양산에 돌입한다.


노훈주 글로벌이코노믹 기자 hunjuroh@g-enews.com