SK하이닉스, 美 웨이퍼 공장 검토…칩플레이션 경고

SK하이닉스가 미국 현지에서 반도체 원판을 직접 만드는 전공정 팹 부지 검토에 착수한 가운데 2027년 공급 부족에 따른 완제품 가격 상승 경고가 나왔다.

테크타임스는 8월 15일(현지시각) SK하이닉스가 인디애나 첨단 패키징 시설을 넘어선 전공정 거점을 물색하고 있으며, 한국 메모리 공급망 재편이 글로벌 소비자 물가에 직접 영향을 준다고 보도했다.


SK하이닉스가 입지를 검토 중인 전공정 웨이퍼 팹은 실리콘 원판에 회로를 새겨 칩 자체를 만드는 핵심 제조 시설이다. 이 움직임은 8월 27일 착공하는 인디애나주 웨스트라피엣 공장과 뚜렷하게 구분된다.

인디애나 시설은 38억 7000만 달러(약 5조 4895억 원)를 투입해 한국 이천과 용인에서 생산한 웨이퍼를 수직으로 쌓아 올리는 후공정 전용 거점이다.
미국 안에서 완결된 반도체 생산 능력을 확보하려면 원판을 생산하는 전공정 팹이 필수 조건이다. 디지타임스는 8월 14일 SK하이닉스가 미국을 포함한 복수 지역에서 부지 조사를 한 달 넘게 진행하고 있다고 전했다.


미국 내 전공정 팹 구축에는 막대한 비용과 규제가 걸림돌로 작용한다. 최태원 SK그룹 회장은 8월 13일 공개된 CNBC 인터뷰에서 미국의 반도체 공장 건설 비용이 한국보다 두 배 가량 높다고 밝혔다.

첨단 D램 전공정 공장은 200~300메가와트(MW) 규모의 안정적인 전력이 필요하다. 하루 수백만 갤런에 달하는 초순수 공급망 구축도 필수 과제다. 반도체급 특수 화학 가스 공급망의 부재와 현지 숙련 공정 엔지니어 부족 현상 역시 현실적 장벽이다.

업계 전문가들은 대만 TSMC가 애리조나 팹 건설 과정에서 겪은 공기 지연과 인력 난항이 SK하이닉스에도 재현될 수 있다고 본다.

인공지능 가속기용 고대역폭메모리(HBM) 증산은 범용 메모리 공급 부족을 부르고 있다. HBM은 제조 공정이 복잡해 일반 DDR5 대비 웨이퍼 소모량이 세 배에 달한다. 주요 고객사들은 2027년 HBM 공급량을 기존보다 60%에서 100%까지 늘려달라고 요청한 상태다.

최 회장은 2027년 고객사 메모리 수요가 전체 생산능력의 두 배에 달해 역사상 가장 심각한 공급 부족이 발생할 수 있다고 전망했다. 빅테크 기업이 메모리 생산라인을 선점하면서 스마트폰과 노트북에 들어가는 일반 D램 공급이 줄어들고 있다. 시장조사업체 가트너는 2026년 말 D램과 SSD 가격이 전년 동기 대비 130% 상승할 것으로 추산하며 IT 완제품 가격 상승 압박을 지목했다.

미국 상무부는 해외 반도체 기업을 상대로 미국 내 생산 확대를 거듭 요구하고 있다. 반면 첨단 전공정 팹 건설에 드는 150억 달러(약 21조 2775억 원) 이상의 투자비를 감당하기에는 현재 미국 반도체법 보조금 지원 규모가 부족하다는 평가가 지배적이다.

SK하이닉스는 최근 용인 Y2 팹과 청주 M17 팹에 54조 3000억 원(약 382억 7987만 달러) 투자를 확정하며 한국 설비 증설을 우선 추진하고 있어, 미국 전공정 투자는 보조금 확대와 전력·용수 지원 수준에 따라 최종 실행 여부가 결정될 전망이다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com