이규제 SK하이닉스 부사장 “차세대 패키징 기술로 HBM 1등 성공신화 이어갈 것”

“어드밴스드 MR-MUF 기술은 하반기부터 인공지능(AI) 빅테크 기업들에 공급될 12단 HBM3E에도 적용돼 SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 1등 기술력을 공고히 하는 데 힘이 되어줄 것이다.”

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당(부사장)이 강조한 내용이다. 그는 “SK하이닉스가 HBM 시장을 선점할 수 있었던 가장 큰 원동력은 품질과 양산 경쟁력을 갖춘 제품을 고객이 원하는 시기에 제공했기 때문”이라면서 AI 메모리 분야에서 SK하이닉스가 보유한 기술력에 대한 강한 자부심을 드러냈다.

SK하이닉스는 5일 자사 뉴스룸을 통해 이 부사장과의 인터뷰를 공개하고 SK하이닉스의 패키징 기술 스토리를 소개했다. SK하이닉스는 11년 전 세계 최초로 HBM을 개발하고 올해 3월에는 현존 최고 성능의 5세대 HBM3E를 가장 먼저 양산하고 공급해 시장을 주도하고 있다.

이 부사장은 HBM과 관련해 “SK하이닉스도 처음에는 망설이는 회사들 중 하나였다”면서 기술개발이 쉬웠던 것은 아니라고 회상했다. 그는 “고성능과 고용량을 동시에 구현할 수 있는 실리콘관통전극(TSV) 기술과 적층을 포함한 웨이퍼레벨패키징(WLP) 기술을 동시에 확보해야 한다고 판단하고 2000년대 초반부터 적극적인 연구를 시작했다”고 전했다.


SK하이닉스의 이 같은 판단이 빛을 발하기 시작한 것은 2010년대다. 고성능 그래픽처리장치(GPU) 컴퓨팅 시장의 성장과 이를 지원할 수 있는 HBM이 필요하다는 목소리가 시장에서 나오기 시작했고 SK하이닉스는 기존 최고속 그래픽 D램 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르고 전력 소모량은 40% 낮은 최초의 HBM을 탄생시켰다.

2019년에는 SK하이닉스가 HBM2E 제품 개발에 성공하면서 본격적으로 업계우위를 점하기 시작했다. 하지만 SK하이닉스는 더 나은 기술 개발을 원하고 있었다. 그러던 중에 SK하이닉스가 주목한 것이 ‘매스 리플로 몰디드 언더필(MR-MUF)’ 기술이다. MR-MUF 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정을 말한다. 기존 방식 대비 효율적이고 열 방출에도 효과적으로 평가받는다.

이 부사장은 “유관 부서 리더들이 빠르게 기술 관련 데이터와 시뮬레이션 결과를 분석해 MR-MUF 안정성을 검증해 냈고 경영진과 고객을 설득해 적기에 이 기술을 3세대 HBM2E에 적용할 수 있었다”고 설명했다. MR-MUF가 적용된 HBM2E는 HBM 시장의 판을 바꾸기 시작했고 결국 MR-MUF는 SK하이닉스의 ‘HBM 성공신화’를 가능하게 만든 주역이 됐다.

​그는 “12단 HBM3부터 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에 방열 성능을 더욱 강화해야 했다”면서 “이러한 한계를 극복하기 위해 기존 MR-MUF 기술을 개선한 어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발했다”고 밝혔다. 이어 “SK하이닉스는 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획”이라고 향후 방침을 전했다.

끝으로 이 부사장은 "고객과의 긴밀한 소통과 협업이야말로 SK하이닉스의 저력이자 앞으로도 계속 강화해야 할 경쟁력"이라고 강조했다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com