TSMC, 실리콘 브리지 개발…인텔 EMIB 맞불

세계 최대 파운드리 기업 대만 TSMC가 경쟁사 인텔의 핵심 기술에 대응하는 미세 실리콘 브리지 기반 패키징 공정 개발에 나섰다.

디 인포메이션은 7월 30일(현지시각) TSMC가 기존 CoWoS 방식을 보완해 제조 비용을 낮추는 차세대 첨단 칩 패키징 기술을 준비하고 있다고 보도했다.


TSMC는 대만 킨서스 인터커넥트 테크놀로지(Kinsus Interconnect Technology)와 협력해 새로운 패키징 공정을 개발 중인 것으로 알려졌다.
현재 엔비디아와 AMD는 TSMC의 CoWoS 공정으로 AI 반도체를 생산한다. CoWoS 공정에 쓰이는 실리콘 인터포저는 가격이 비싸 첨단 반도체 공급망의 병목 요인으로 꼽혔다.

인텔은 필요한 부분에만 실리콘 브리지를 넣는 EMIB 기술을 대안으로 제시했다. 인텔 방식은 비용을 낮추고 칩렛을 하나의 단위로 구동한다. 엔비디아도 차세대 프로세서에 EMIB 적용을 검토하는 상황이다.


구리선 전송의 물리적 한계를 극복하는 실리콘 포토닉스 투자도 구체화됐다. 글로벌파운드리스는 미 상무부 CHIPS 연구개발 사무국과 3억 달러(약 4278억 원) 지원금 수령 의향서를 체결했다. 미 상무부는 투자의 대가로 글로벌파운드리스 지분 약 1%를 확보한다.

글로벌파운드리스는 지원금을 차세대 실리콘 포토닉스 웨이퍼 기술과 3D 하이브리드 본딩 R&D에 투입한다. 이 기술은 광학 엔진 플랫폼을 통해 에너지 효율을 기존 대비 5배 높인다. 뉴욕주 몰타와 버몬트주 벌링턴 시설을 중심으로 미국 내 광학 연결 생태계를 구축한다.

글로벌 빅테크 진영은 데이터 전송 대역폭을 넓히는 패키징 혁신을 반겼다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자는 실리콘 포토닉스를 새 산업 혁명의 핵심 기술로 평가했다. 마크 페이퍼마스터 AMD 최고기술책임자도 AI 시스템 확장에 따른 광학 연결 기술의 필요성을 강조했다.

실리콘 브리지와 CPO(공동 패키징 광학) 기술의 부상은 기존 구리선 중심 구조를 바꾼다. 고대역폭메모리(HBM) 증설에 집중해 온 한국 반도체 기업도 HBM4E 이후 차세대 패키징 전략을 선제적으로 재조정해야 할 과제를 안게 됐다.


김주원 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com