[초점] 中, 2030년까지 반도체·양자 측정 기술 강화 위한 5개년 계획 발표

중국이 오는 2030년까지 반도체와 양자 기술 분야에서의 측정 역량을 대폭 강화하기 위한 국가 차원의 5개년 행동계획을 발표했다.

이 계획은 미국과의 기술 경쟁 속에서 정밀 측정 과학(측정학)을 전략적 핵심 분야로 육성하려는 의도를 담고 있다고 사우스차이나모닝포스트(SCMP)와 인터레스팅 엔지니어링(IE) 등이 2일(이하 현지시각) 보도했다.

이들 매체에 따르면 중국 국가시장감독관리총국(SAMR)이 지난달 16일 발표한 '2030 측정 혁신 행동계획'에서 반도체, 양자 측정, 희토류 자석 등 50개 이상의 핵심 측정 기술 분야에서 돌파구를 마련하고 20개 이상의 세계적 수준의 측정 기준과 100개 이상의 혁신적 장비 및 표준 물질을 개발하겠다고 밝혔다.

이 계획은 인공지능(AI), 미세 센서, 로봇공학, 적층 제조(3D 프린팅), 양자 기반 측정 시스템 등 첨단 분야에서의 측정 연구를 강화하고 양자 자이로스코프 등 정밀 항법 장비 개발을 중점적으로 추진될 예정이다. 또 나노미터급 집적회로(IC), 신경망 칩 측정, 온칩 주파수 빗(frequency comb) 등 칩 스케일 측정 기술도 주요 연구 분야로 포함됐다.
중국은 희토류 자석의 측정 기술 개발도 강화하고 있다. 희토류 자석은 전기차, 전자제품, 국방 산업 등에서 필수적인 소재로, 중국은 최근 미국의 관세 조치에 대응해 7종의 희토류 금속에 대한 수출 통제를 발표한 바 있다.

이러한 측정 기술 강화는 미국 상무부가 지난 2022년 반도체 및 과학법(CHIPS and Science Act)을 통해 반도체 연구와 생산을 지원하고 측정학 분야의 도전 과제를 해결하기 위한 '미국 반도체 지원 프로그램‘을 출범시킨 것에 대한 대응으로 풀이된다.

중국의 이번 계획은 2021~2035년 측정 기술 발전 목표를 지원하는 차원에서 마련됐으며 무역 결제, 의료, 환경 모니터링, 기후 변화 대응, 재난 예방, 식품 안전, 형사 사법, 해양 작전 등 다양한 분야에서의 측정 역량 강화를 목표로 하고 있다.

이번 발표는 중국이 '중국제조 2025(Made in China 2025)' 전략의 일환으로 첨단 기술 분야에서의 자립을 추구하고 미국과의 기술 경쟁에서 우위를 점하려는 노력의 일환으로 해석된다.


김현철 글로벌이코노믹 기자 rock@g-enews.com