곽노정 SK하이닉스 사장 "내년도 HBM도 완판"…HBM3E 12단 3분기 양산

"고대역폭메모리(HBM)은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃(완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃되었다. 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월 제공하고 3분기 양산 가능하도록 준비 중이다“

곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 2일 경기도 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 마련한 기자 간담회를 통해 현재 상황과 향후 전략을 이 같이 밝혔다. 이어 현재 "D램에서 HBM3E와 256GB 이상의 초고용량 모듈을 양산하고 있으며 세계 최고 속도의 LPDDR5T도 상용화했고 낸드에서도 업계 유일 60TB(테라바이트) 이상 QLC 기반 SSD를 공급하는 등 세계 최고의 AI 메모리 공급사의 지위를 유지하고 있다"고 말했다.
SK하이닉스는 올해 1분기 D램과 낸드 부문 모두에서 흑자전환하며 완벽히 부활에 성공했다. 특히 영업이익이 2조8860억원에 달해 경쟁기업인 삼성전자보다 약 1조원 가까이 많은 이익을 기록하기도 했다. 특히 인공지능(AI)분야에서 수요가 늘고 있는 HBM분야에서 강세가 두드러지는 모양새다.

곽 CEO는 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만 향후 스마트폰과 PC, 자동차 등 온디바이스 AI로 빠르게 확산될 전망"이라며 "이에 따라 AI에 특화된 초고속·고용량·저전력 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것"이라고 전망했다. 특히 HBM 시장은 중장기적으로 연평균 60% 정도의 수요 성장이 있을 것으로 봤다.

이를 위해 SK하이닉스는 새로운 투자를 통해 이를 이어나간다는 전략이다. SK하이닉스는 지난달 청주 M15X 팹(Fab) 건설 공사에 착수했으며 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다.

궁극적으로는 용인에 조성중인 용인클러스터를 빠르게 조성해 생산능력을 확대한다는 전략이다. 김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술 담당)은 "클러스터 부지 조성은 순조롭게 진행 중으로 SK하이닉스 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42%로 차질없이 일정 진행 중"이라고 말했다. SK하이닉스는 용인 클러스터의 첫 팹을 2025년 3월 공사에 착수해 2027년 5월 준공 예정한다는 방침이다.

해외 공장관련 계획도 구체적으로 공개됐다. SK하이닉스는 지난달 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정한 바 있다. 인디애나 공장은 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정으로 고객 협력과 AI 경쟁력 강화를 추진하는 한편, 주변 대학 및 연구개발센터들과 연구개발 협력을 통해 반도체 인력을 양성하고, AI 미래 산업에도 기여하겠다고 했다.

생산능력 확대 외에도 SK하이닉스는 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나인 어드밴스드 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 기술의 경쟁력도 강조했다. 최우진 부사장(P&T 담당)은 "우리는 'MR-MUF' 기술로 이미 HBM3 12단 제품을 양산하고 있다"면서 "이 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고 공정 시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며 열 방출도 45% 향상시킨다"고 설명했다.
곽 CEO는 "내실 있는 질적 성장을 위해 원가 경쟁력을 강화하고 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 수익성을 지속적으로 높여 나가는 한편, 변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 현금 수준을 높여서 재무 건전성도 지속 제고해 나갈 계획"이라고 말했다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com