삼성전자 "반도체 왕좌 되찾는다"…경쟁자 난립 속 초격차기술 승부

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)분야에서 빼앗긴 1위자 리를 되찾기 위한 전략 전개에 나선다. 대규모 시설투자에 이어 HBM분야 개발 조직 신설까지 HBM수율을 끌어올려 다시 한번 초격차기술을 바탕으로 한 시장 석권에 나선다는 전략이다.
13일 삼성전자 2023년 연간 사업보고서에 따르면 삼성전자는 지난해 시설투자로 약 53조1139억원을 집행했다. 이수치는 역대 최대였던 2022년과 비슷한 수치로 이중 디바이스 솔루션(DS)부문에48조3723억원을 투자했다. 지난해 시설투자 중 대부분을 반도체사업에 쏟은 셈이다.

지난해 대규모 적자에도 불구하고 삼성전자가 반도체부문에 대규모 투자를 진행한 것은 기술을 바탕으로 한 초격차 전략을 전개하기 위한 포석으로 풀이된다. 특히 인공지능(AI) 바람에 수요가 급속하게 늘고 있는 HBM분야가 그 타겟이다. 더구나 HBM개발 전담 조직 신설이 검토되고 있는 것으로 알려졌다.

HBM부문의 경쟁력을 끌어올리는 주 목적에는 '수율'이 있다. 삼성전자는 HBM개발 전담 조직을 신설해 설계팀, 솔루션팀 등을 꾸려 HBM 개발부터 수율 안정화 등에 큰 주력할 것으로 보인다.

기술적으로는 HBM 생산 방식 변경 가능성 등이 거론되고 있다. 이날 로이터통신의 보도에 따르면 삼성전자는 'MR-MUF' 공정을 도입하기 위해 관련 제조 장비를 구매한 것으로 알려져 HBM 생산방식을 기존의 '열압착 비전도성접착필름(TC-NCF)'방식에서 '매스리플로몰디드언더필(MR-MUF)'으로 변경하는 것이 아니냐는 추측이 제기됐다.

이에 대해 삼성전자는 사실이 아니다"며 공식 부인했다. 그럼에도 불구하고 업계는 삼성전자의 생산방식 변경 가능성을 완전히 배제하지 않고 있다. 경쟁기업인 SK하이닉스가 사용중인 MR-MUF 방식은 TC-NCF방식대비 공정이 복잡하고 비용이 증가하지만 열전도율이 높고 수율도 높다는 장점이 있다. 또 MR-MUF방식을 채택하면 적층에 필요한 압력을 낮출 수 있다.

명확한 것은 아니지만 업계에서는 SK하이닉스의 HBM3 생산 수율이 60~70% 수준이고 삼성전자는 이보다 떨어지는 것으로 예측하고 있다. 양사간 벌어지는 생산수율 원인이 생산방식 차이에서 기인하고 있기 때문에 변경 가능성이 계속 거론되고 있는 것으로 보인다.
고영민 다올투자증권 연구원은 "MR-MUF 공정에 대한 생산업체들의 채택 검토가 활발해질 것으로 예상된다"면서 "최근 동향을 고려할 때 1분기중 투자방향이 확인될 가능성이 높아 보인다"고 말했다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com